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同軸型真空加熱装置

シーズコード S090001663
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 鯉沼 秀臣
  • 川崎 雅司
技術名称 同軸型真空加熱装置
技術概要 同軸型真空加熱装置は圧力制御可能な共通室、公転移動シャフト、搬送プレート、基板加熱部と基板ホルダーおよびプロセス処理室から成っている。先ず、所定圧力の室温下で搬送プレート38が上始点あるとき基板ホルダーを加熱部に装填後、搬送プレートが下降し基板加熱部36が隔壁のOリングに当たり停止する。余熱加熱室28を高真空に維持し950℃まで加熱する。基板加熱部の温度を維持したまま真空チャンバー及び共通室の圧力を戻し、搬送プレートは上始点まで移動する。このプレートが回転し、基板加熱部を成長室24まで搬送する。このとき次の基板ホルダーを基板加熱部に装填しておく。次に、搬送プレートが下降して真空チャンバーを隔離、成長室を高真空で、950℃に加熱したまま所定時間、レーザー分子線にて分子層エピタキシャル成長を行ない、この操作を逐次繰返す。本装置では、基板にエピタキシャル成長層を形成させる成長室、薄膜成長させた基板のアニール室及び基板を加熱する余熱加熱室をそれぞれ独立して圧力および温度制御するので、基板温度を下げることなく搬送でき、異なる基板温度及び圧力における連続操作が可能である。
画像

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S090001663_01SUM.gif
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 薄膜形成装置の搬送系に配設する電気配線及び水冷配管等がねじれないようにして、基板又はウエハーの加熱温度を維持したまま搬送することのできる同軸型真空加熱装置を提供する。
同軸型真空加熱装置は、基板温度を保持したまま回転軸を中心として連続的に回転して搬送できるとともに、連続プロセスを並列的に処理することができるという効果を有する。さらに真空を保持したまま搬送プレートを連続回転させても、基板加熱部の加熱手段への冷却水の供給のための水冷配管及び電力供給や、例えば温度モニター用の熱電対などの電気配線がねじれることがないという効果を有する。
用途利用分野 同軸型真空加熱装置、薄膜形成装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 鯉沼 秀臣, 川崎 雅司, . 同軸型真空加熱装置. 特開2000-087237. 2000-03-28
  • C23C  14/56     
  • C23C  14/00     
  • C23C  16/46     
  • H01L  21/68     

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