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トンネル磁気抵抗素子および磁気ランダムアクセスメモリ

シーズコード S090001698
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 湯浅 新治
  • 長濱 太郎
  • 鈴木 義茂
技術名称 トンネル磁気抵抗素子および磁気ランダムアクセスメモリ
技術概要 トンネル磁気抵抗素子において、バリヤ層と強磁性電極の間に非磁性金属単結晶又は非磁性金属高配向多結晶中間層を挿入した構造を作る。そのために、MgO(100)単結晶、高配向多結晶又はSi(100),GaAs(100)単結晶基板上にPt,Co,Cuの順にバッファー層を成長させる。その表面を非常に平坦にした後に、Co(100)単結晶電極11及びCu(100)非磁性単結晶中間層12を成長し、その上にアルミナバリヤ(Al-Obarrier)13と強磁性多結晶上部電極(Ni-Fe poly-crystal)14を成長させる。これにより、磁気抵抗効果がバイアス電圧に対して振幅動的に変化するトンネル磁気抵抗素子を得る。
画像

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研究分野
  • 界面の電気的性質一般
  • 磁電デバイス
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ 非磁性中間層の電子散乱を抑える素子構造を開発し、非磁性中間層の精密な膜厚制御により磁気抵抗効果を抑え、磁気抵抗効果のバイアス電圧依存性を人為的に制御することができるトンネル磁気抵抗素子を提供する。
有限のバイアス電圧下の磁気抵抗効果の大きさを人為的に制御できるようになり、トンネル磁気抵抗効果を利用して磁気センサーや強磁性ランダムアクセスメモリーを実現することができる。
用途利用分野 トンネル磁気抵抗素子、磁気ディスクピックアップヘッド、磁場センサー、強磁性ランダムアクセスメモリー
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人産業技術総合研究所, . 湯浅 新治, 長濱 太郎, 鈴木 義茂, . トンネル磁気抵抗素子および磁気ランダムアクセスメモリ. 特開2003-086863. 2003-03-20
  • H01L  43/08     
  • H01F  10/16     
  • H01L  27/105    
  • H01L  21/8246   

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