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Cu2O薄膜及び太陽電池の製造方法

シーズコード S090001713
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 小林 光
  • 秋本 克洋
技術名称 Cu2O薄膜及び太陽電池の製造方法
技術概要 洗浄したガラス基板上に反応性スパッタ法によって膜厚約1μmの亜酸化銅薄膜を作製する。この亜酸化銅薄膜を形成した基板をクラウンエーテルシアン溶液に2分間浸漬して亜酸化銅薄膜にシアン処理を施す。その後、亜酸化銅薄膜を形成した基板を室温でアセトン、エタノール、純水の順に洗浄を行う。この方法により成膜した多結晶亜酸化銅層は比抵抗は比較的低く、比抵抗、キャリヤ濃度、光学的性質を容易にコントロールできる。
研究分野
  • 酸化物薄膜
  • 太陽電池
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 太陽電池のエネルギー変換効率を高めるためには、CuO層に存在する欠陥準位を低減させる必要がある。欠陥準位を低減させるのには、半導体の未結合手を水素で終端して電気的に不活性にする方法がある。簡便な方法によって亜酸化銅薄膜の欠陥準位を低減する方法を提供する。
基板上に亜酸化銅薄膜を成膜した後、その基板をシアン化合物を含有する溶液に浸漬して亜酸化銅薄膜にシアン処理を施すだけで、欠陥準位が低減された亜酸化銅薄膜を得ることができる。方法が簡単であり、低コスト化ができる。
用途利用分野 太陽電池、亜酸化銅薄膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 小林 光, 秋本 克洋, . Cu2O薄膜及び太陽電池の製造方法. 特開2003-282897. 2003-10-03
  • H01L  31/04     

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