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高輝度メカノルミネッセンス材料及びその製造方法

シーズコード S090001883
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 徐 超男
  • 秋山 守人
  • 師 文生
技術名称 高輝度メカノルミネッセンス材料及びその製造方法
技術概要 本発明のメカノルミネッセンス材料を製造するには、前記一般式MA(Mは亜鉛,銅,などの金属,Aは硫黄,テルル,セレンなどのカルコーゲン)で表わされる半導体を形成する原料と,一般式MnA(Mnはマンガン,Aは上記カルコーゲン)で表わされる半導体を所定の割合、好ましくは0.1~99.9モル比で混合し、これを石英管に充填し、真空下で加熱し、温度勾配を利用して高温側で原料を昇華させ、低温側で再結晶化させる。この際、昇華を促進させるために循環ガスとしてカルコーゲン又はハロゲンを少量用いるのが好ましい。この循環ガスは石英管の単位体積1cm当り、0.01~10mgの範囲で用いられる。このようにして、石英管に充填した原料から、所望の半導体を昇華点よりも低い温度で昇華させ,次いで昇華点以上の高い温度で昇華させ、これを低温減に導いて凝縮すれば、高輝度のメカノルミネッセンス材料が得られる。この場合、アルゴン又は水素で内部を置換したのち,好ましくは10-2Pa以下の高真空にすることにより発光強度を向上させることができる。発光強度と荷重の関係図を示した。
画像

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研究分野
  • 半導体のルミネセンス
  • 発光素子
展開可能なシーズ これまで知られているメカノルミネッセンス材料は、発光輝度が不十分である点及び繰り返し応力を印加するに従って発光輝度が減衰する点で利用分野が制限されるのを免れない。このような事情のもとで、従来のメカノルミネッセンス材料がもつ欠点を克服し、高い輝度を有し、かつ繰り返し応力を印加しても発光輝度の減衰がない新規なメカノルミネッセンス材料を提供する。
機械的エネルギーを光エネルギーに変換する効率を著しく向上させた新規なメカノルミネッセンス材料を開発した。特定の半導体が複合した構造・構成を有し、製造方法に工夫を加えることによって、その結晶粒度や結晶格子の欠陥や歪みを適正に制御した材料が安定な高輝度メカノルミネッセンス材料となることを見出した。
用途利用分野 高輝度メカノルミネッセンス材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 国立研究開発法人産業技術総合研究所, . 徐 超男, 秋山 守人, 師 文生, . 高輝度メカノルミネッセンス材料及びその製造方法. 特開2004-043656. 2004-02-12
  • C09K  11/58     
  • C09K  11/57     
  • C09K  11/88     
  • C09K  11/08     
  • G01L   1/24     

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