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複合酸化物系薄膜の作製方法及びその装置並びにそれにより作製した複合酸化物系薄膜。

シーズコード S090002044
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 伊原 英雄
  • A.Sundaresan
  • J.C.Nie
技術名称 複合酸化物系薄膜の作製方法及びその装置並びにそれにより作製した複合酸化物系薄膜。
技術概要 基本単位格子は、基本単位格子の上下面を構成する電荷供給層CuBa O4-y 1とこの上下面以外の層である超伝導層Can-1 Cu O2n(n=3~5)2とから構成されている。電荷供給層 の組成を有する電荷供給層用のターゲットと、超伝導層の組成を有する超伝導層用のターゲットとを別々に用意し、これらのターゲットを時間を制御して交互にスパッタして積層し、Cu系超伝導薄膜を作製する。Cu-1234構造のCu系超伝導薄膜を作製する場合には、あらかじめ設定した電荷供給層用のターゲットと超伝導層用のターゲットからの膜堆積速度から、Cu-1234構造の電荷供給層1及び超伝導層2の厚さに相当する膜厚が積層する時間t1、t2を求め、電荷供給層用のターゲットをt1時間スパッタし、引き続き、超伝導層用のターゲットをt2時間スパッタする。この交互のスパッタを必要な回数、繰り返して所望の膜厚のCu-1234構造のCu系超伝導薄膜を作製する。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
展開可能なシーズ 高温高圧を用いず、結晶性に優れ、基本単位格子構造を任意に制御でき、後熱処理を必要とせず、低温でかつ容易に製造できる複合酸化物系薄膜の作製方法及びその装置並びにそれにより作製した複合酸化物系薄膜を提供する。
化学的な自己形成は、複合酸化物系薄膜の構成原子そのものにより、またはその一部を特定の原子と置換することによって、特定の相とこの相に積層する他の相との格子整合性を向上させ、物質形成を促進させ、配向結晶基板と複合酸化物系薄膜を構成する他の相との格子不整合を緩和し、良好な結晶性を有する複合酸化物系薄膜を積層することができ、使用可能な配向結晶基板を増やすことができる。
用途利用分野 強誘電体材料、酸化物磁性材料、酸化物半導体材料、非線形光学材料、絶縁体材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人産業技術総合研究所, . 伊原 英雄, A.Sundaresan, J.C.Nie, . 複合酸化物系薄膜の作製方法及びその装置並びにそれにより作製した複合酸化物系薄膜。. 特開2002-068894. 2002-03-08
  • C30B  29/22     
  • C23C  14/08     

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