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単層カーボンナノチューブの製造方法とそれにより得られる単層カーボンナノチューブおよび多孔質体原料

シーズコード S090002049
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 飯島 澄男
  • 湯田坂 雅子
  • 張 民芳
技術名称 単層カーボンナノチューブの製造方法とそれにより得られる単層カーボンナノチューブおよび多孔質体原料
技術概要 ターゲット1および2は、硝酸塩であるNi(NO6(HO),Co(NO6(HO)を、ターゲット3および4は、酸化物であるNiO,Coを用いて作成した多孔質体ターゲットである。一方の、ターゲット5、6は、従来より一般に使用されているものであり、5~10μmのグラファイト粉末と、2~7μmのNiおよびCo粒子を配合して焼結させた、焼結体ターゲットである。ターゲット1~6を用い、レーザー強度を変化させて単層カーボンナノチューブを製造した。レーザーアブレーション装置のチャンバー出口付近に、単層カーボンナノチューブが堆積物として生成を確認した。単層カーボンナノチューブの堆積量はレーザー強度と金属含有率に依存し、金属含有率が同程度のターゲット1,3,5とターゲット2,4,6を比較すると、従来のターゲット5,6を用いた場合よりも、より多くの単層カーボンナノチューブが得られることが示された。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 固体の製造・処理一般
展開可能なシーズ 効率の良い単層カーボンナノチューブの製造を可能とする方法と、その方法により得られる、マイクロ半導体、マイクロカプセルおよびマイクロマシンなどに有用な単層カーボンナノチューブを提供する。
生成効率がより高められた単層カーボンナノチューブの製造方法と、その方法により得られるマイクロ半導体、マイクロカプセルおよびマイクロマシンなどに有用な単層カーボンナノチューブ、およびその方法に用いる多孔質原料を得られる。
用途利用分野 マイクロ半導体、マイクロカプセルおよびマイクロマシン用の単層カーボンナノチューブ、多孔質体原料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 日本電気株式会社, . 飯島 澄男, 湯田坂 雅子, 張 民芳, . 単層カーボンナノチューブの製造方法とそれにより得られる単層カーボンナノチューブおよび多孔質体原料. 特開2002-154813. 2002-05-28
  • C01B  31/02     
  • B82B   1/00     
  • B82B   3/00     

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