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超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法

シーズコード S090002115
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 細野 秀雄
  • 太田 裕道
  • 神谷 利夫
  • 平野 正浩
技術名称 超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法
技術概要 YSZ単結晶基板(111)面(明浄金属(株)社製、10mm角)を大気中1350℃に加熱して、原子状平坦面を作製した。レーザー・アブレーション用超高真空容器(入江工研(株)社製)に、このYSZ単結晶基板を設置して温度を室温に保持した。容器中に3×10-3 Paの酸素ガスを導入し、KrFエキシマーレーザー光(ラムダ・フィジクス(株)社製レーザー発光装置)を10at% Liを含有するNiO焼結体ターゲットに照射、ターゲットから30mm離して対向させた基板上にNiO:Li薄膜を堆積させた。膜厚は300nmとした。次に、作製したNiO:Li薄膜を真空容器から取り出し、アニール中のLi成分の蒸発を防ぐため当該薄膜上にYSZ単結晶板を乗せて薄膜表面を覆い、大気中、1300℃で30分間アニールした後、室温まで冷却した。
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜、特に表面が原子オーダーで平坦なp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法を提供する。
従来のNiO薄膜は、多結晶体の集合体であり、表面の凹凸が大きいため、例えば、NiO多結晶薄膜上にZnO薄膜を成長させても、ZnOの結晶性が悪くなり、ヘテロ接合を製造することができなかった。本発明はこの問題を解消するものであり、p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜が原子レベルで平坦なテラスとサブナノメータ(nm)のステップから構成され、p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法を提供する。
用途利用分野 表示デバイス電極、発光ダイオード(LED)、レーザーダイオード(LD)、紫外線検出器
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . 細野 秀雄, 太田 裕道, 神谷 利夫, 平野 正浩, . 超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法. 特開2004-091253. 2004-03-25
  • C30B  29/16     
  • H01L  21/363    

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