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電界効果トランジスタ

シーズコード S090002295
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 川原田 洋
技術名称 電界効果トランジスタ
技術概要 金属マスクを利用して、試料(多結晶ダイヤモンド終端表面)21上にソース電極23Aとドレイン電極23BからなるAuを蒸着する〔図のa)〕。22はp型表面伝導層である。次に、ゲート部分にレジスト24(OEBR2000)を塗布し〔図(b)〕。中電流イオン装置を用い、Arイオン25でゲート部分、および金属部分以外のp型表面伝導層22を破壊して素子分離領域26を形成する。なお、ドーズ量は2×1013/cm である〔図(c)〕。次に、レジスト24を除去し、基板をプレパラートに接着し、配線27、防水処理を施すためにエポキシ樹脂(保護層)28を塗布する〔図(d)〕。最後に、その露出ゲート部分をアルカリ水溶液である液体電解質29で満たし、ゲート電極30を形成する〔図(e)〕。28Aは絶縁体からなる液槽である。露出したゲート部分をアルカリ水溶液(KOH水溶液)で満たし、ダイヤモンドFETを動作させた。電位窓内でゲートバイアス及びソース-ドレイン間の電圧を変化させたところ完全にピンチオフし、飽和が明瞭な静特性が得られた。また、閾値電圧はKOH、pH8で-0.2V前後で一定で、ノーマリーオフ型であった。
画像

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S090002295_01SUM.gif
研究分野
  • トランジスタ
展開可能なシーズ 液体電解質をゲートとし、液体電解質の中で安定に動作する電界効果トランジスタを提供する。
液体電解質をゲートとし、液体電解質の中で安定に動作し、pH依存性がないチャネル上でのイオン選択性官能基の表面修飾により、より高感度な液体電解質ゲートダイヤモンドFETを得ることができる。閾値電圧のpH依存性が殆どないことを利用して、イオン官能FET測定回路における基準電位を決定する参照用FETとして利用することができる。
用途利用分野 ISFETバイオセンサ,酵素センサ、臨床検査装置、環境計測器、工業計測器
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 川原田 洋, . 電界効果トランジスタ. 特開2001-272372. 2001-10-05
  • G01N 27/414     
  • G01N  27/26     
  • H01L 29/80      

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