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紫外透明導電膜とその製造方法

シーズコード S090002350
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 折田 政寛
  • 太田 裕道
  • 平野 正浩
  • 細野 秀雄
技術名称 紫外透明導電膜とその製造方法
技術概要 パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、CVD法、MBE法のいずれか一つの成膜方法を用いて基板上に成膜されたGa結晶からなり、波長240nmから800nmの中紫外から可視域全域において透明であり、形成された酸素欠陥または添加されたドーパント元素により電気伝導性を持つ紫外透明導電膜で、また波長240nmから400nmの中紫外から近紫外全域において透明であり、形成された酸素欠陥または添加されたドーパント元素により電気伝導性を持つ紫外透明導電膜である。また、ドーパント元素が、Sn、Ge、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Wの少なくとも一つの元素である上記の紫外透明導電膜である。また、波長248nmにおける光透過率が4%以上である上記の紫外透明導電膜である。(他に、製造方法の発明あり。)
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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 電気・電子部品
  • 導体材料
展開可能なシーズ 発光デバイスや太陽電池用の透明電極、紫外線透過性帯電防止膜として使用することができる紫外線領域から可視光領域にかけて透明性を有する透明導電膜とその製造方法を提供する。
ITO及びATOが用いられているが発光デバイスの発光効率が低減するし紫外光を太陽電池内に取り込むことができない等の問題がある。Gaからなる波長240nm以上の中・近紫外光および可視光全域を透過できる透明導電膜を実現し、紫外発光デバイス用透明電極、紫外太陽光発電用透明電極、生体材料分析用透明電極、紫外レーザー加工用帯電防止膜等に用いる事により優れた特性を発揮する。
用途利用分野 発光デバイス機器、太陽電池、オプトエレクトロニクス装置、紫外光レーザー
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . 折田 政寛, 太田 裕道, 平野 正浩, 細野 秀雄, . 紫外透明導電膜とその製造方法. 特開2002-093243. 2002-03-29
  • H01B   5/14     
  • C23C  14/08     
  • C23C  16/40     
  • H01B  13/00     
  • H01L  31/04     

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