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並列型高速電子線回折装置

シーズコード S090002381
掲載日 2010年3月19日
研究者
  • 鯉沼 秀臣
  • 川崎 雅司
技術名称 並列型高速電子線回折装置
技術概要 並列型高速電子線回折装置は、電子銃から出た電子線を偏向する第1偏向コイルと、この第1偏向コイルにより偏向した電子線を再度偏向する第2偏向コイルとを備えた電子線回折装置において、基板及び基板の所定領域のいずれか、あるいは両方に可動マスクが覆ったりはずしたりして原料の異なる薄膜を単分子層ごとにエピタキシャル成長して形成するコンビナトリアルレーザー分子線エピタキシーにあって、単分子層ごとのエピタキシャル成長している基板又は基板の所定領域に対して、可動マスクと連動して第1偏向コイル及び第2偏向コイルを制御し設定した角度で平行電子線を入射しスキャンすることを特徴とするものである。このような構成では、第1偏向コイルと第2偏向コイルとを有しているので、電子線を任意の角度で入射することができ、ロッキングカーブを高速に得ることができる。さらに平行電子線を、任意の角度で基板及び基板の所定領域に対して広範囲に走査することができる。したがって、基板の広範囲又は複数の領域で薄膜のエピタキシャル成長を分子層単位で正確に制御し、モニターすることができる。
画像

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研究分野
  • 電子回折法
  • 薄膜成長技術・装置
  • 電子ビーム,イオンビーム
展開可能なシーズ RHEEDでは10mm角程度の一枚の基板上に厚さや組成などの異なる複数の薄膜を並行したコンビナトリアル合成では、解析することができない等の問題点がある。そこで、電子線を任意の角度で入射するとともに平行に走査して、広範囲又は複数の領域で薄膜のエピタキシャル成長を分子層単位で正確に制御し且つそのモニタリングできる並列型高速電子線回折装置を提供する。
並列型高速電子線回折装置では、基板に対して電子線を任意の角度で入射することができ、ロッキングカーブを高速に得ることができ、さらに、平行電子線を任意の角度で基板及び基板の所定領域に対して広範囲に走査することができる。基板の広範囲又は複数の領域で薄膜のエピタキシャル成長を分子層単位で正確に制御し、且つ、モニターすることができる。
用途利用分野 電子走査超音波診断装置、小型高速光並列認識装置、可搬型X線分析装置、多目的電気分析装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 鯉沼 秀臣, 川崎 雅司, . 並列型高速電子線回折装置. 特開2000-090867. 2000-03-31
  • H01J  37/295    
  • H01L  21/203    

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