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平坦化トンネル磁気抵抗素子

シーズコード S090002456
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 湯浅 新治
  • 長濱 太郎
  • 鈴木 義茂
技術名称 平坦化トンネル磁気抵抗素子
技術概要 平坦化トンネル磁気抵抗素子の、基板との界面を平滑にするために、MgOアモルファス層2とMgO(001)高配向層3の二重層からなる下地層を設ける。MgOアモルファス層の膜厚を3から10nm、MgO(001)高配向層の膜厚を3から10nmとすることで表面の凹凸を小さく抑える。また、MgO下地層を用いて強磁性層の凹凸を小さくすることで、強磁性層間の静磁的結合を小さくする。
画像

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S090002456_01SUM.gif
研究分野
  • 磁電デバイス
  • 界面の電気的性質一般
展開可能なシーズ 大きな磁気抵抗効果を得るためには、界面を平滑にすることが有効であるが、単結晶基板を必要とするのでシリコンLSI上への作製が困難である。そこで、単結晶トンネル磁気抵抗素子をSiOなどのアモルファス基板および多結晶配線上に作製できるようにする必要がある。それに対し、アモルファスや多結晶体などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく高配向で平坦な界面を持つ平坦化トンネル磁気抵抗素子を提供する。
磁気抵抗効果の大きい、磁気抵抗素子、巨大磁気抵抗効果素子が得られる。
用途利用分野 磁気抵抗素子、巨大磁気抵抗効果素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人産業技術総合研究所, . 湯浅 新治, 長濱 太郎, 鈴木 義茂, . 平坦化トンネル磁気抵抗素子. 特開2003-318465. 2003-11-07
  • H01L  43/08     
  • H01L  21/8246   
  • H01L  27/105    

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