TOP > 技術シーズ検索 > 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用

陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用

シーズコード S090002711
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 新宮原 正三
  • 清水 智弘
技術名称 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用
技術概要 本発明は、酸化膜を除去した基板とナノホールが基板まで貫通した酸化アルミナ膜からなる構造体である。その製造方法(図8)は、基板(31)上にCVD法等によりアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜(32)を形成した積層体(i)を得る。電解液を使用した陽極酸化処理にて、合金膜32にナノホール33が基板31に到達する酸化アルミナ膜(ii)に転換する。次に、ナノホール33の酸化膜37を残したまま、底部バリア層36であるアルミナ膜を選択的エッチングで除去する。底部バリア層除去後に、酸素分圧133Pa以下、水素分圧133Pa以下の雰囲気中、温度600℃~1200℃にてアニール処理を行い、陽極酸化アルミナ膜を緻密化して、その耐食性を向上させる。ナノホール33の配列を維持したまま、ホール底部の酸化膜37のみを選択的にエッチングで除去する。最後に、アルミナ・テンプレートにスパッタ法やメッキ法等で半導体または金属等を充填する。ナノホール33の底部は清浄表面が露出(iv)しており、ナノホール内部に充填した物質の結晶性を制御でき、磁気記録媒体や発光素子等の性能を向上できる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

S090002711_01SUM.gif
研究分野
  • 化成処理
展開可能なシーズ ナノホールの配列を維持したままで、基板の酸化膜を除去し、高結晶性のナノロッド配列構造を形成する陽極酸化アルミナ膜の構造体を提供する。さらに構造体の内部に磁性体や半導体を充填した高性能な磁気記録媒体や発光素子等の機能性素子を提供する。
ナノホール内部に充填した物質の結晶性を制御することが可能となり、磁気記録媒体や発光素子等の性能を向上させる。陽極酸化アルミナ膜に形成されるナノホールの面密度を約3×1010個/cm以上とし、ナノホール配列を鋳型として強磁性体を埋め込み、記録密度1.5×1011ビット/cm以上かつ高保磁力の磁気記録媒体を形成できる。
用途利用分野 垂直磁気記録媒体、光磁気記録媒体、面発光素子、フォトダイオード、レーザー発光素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人広島大学, . 新宮原 正三, 清水 智弘, . 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用. 特開2005-220436. 2005-08-18
  • C25D  11/18     
  • C25D  11/04     
  • C25D  11/06     
  • G11B   5/65     
  • G11B   5/73     
  • G11B   5/855    
  • H01L  29/06     
  • H01L  31/10     
  • H01S   5/32     

PAGE TOP