TOP > 技術シーズ検索 > フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法

フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法

シーズコード S090002783
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 細野 秀雄
  • 河村 賢一
  • 平野 正浩
技術名称 フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法
技術概要 発振中心波長800nmのフェムト秒二ビームレーザー露光装置を用いて、0.1TW/cm以上の高密度エネルギーを有し、二つのビームのなす角度(θ)を90度未満として二つのビームが互いに干渉したフェムト秒レーザーパルスを、透明基材に照射することにより、最小平均寸法5~200nmを有する一次元周期構造を基材中に作成した後、基材をレーザービームに対して90度回転し、互いに干渉したフェムト秒レーザーパルスを一次元周期構造が形成された領域に重畳して照射することによって平均寸法が5nmから200nmのドット構造の二次元周期構造を形成する。多重露光により二次元周期構造を作成する手順では、まず、それぞれ100μJ/パルスの二つのビームを時間的および空間的に一致させ、基材の表面に集光させる。その結果、二つのビームが互いに干渉し、生じた干渉パターンの明部領域のみのガラス表面が アブレーションされ、その結果、干渉パターンが基材に転写される。同時に、干渉パターンの明部領域の基材内部に、高密度エネルギーレーザー照射により、基材の収縮が起こる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

S090002783_01SUM.gif
研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 互いに干渉したフェムト秒レーザーを多重露光して、二次元周期構造を形成する方法を改良して、ナノスケールの微細構造を有する量子ドット素子を形成する方法を提供する。
多重光吸収効果および自己収束効果を利用して、最小平均寸法5nm程度の微細構造を有する周期構造を形成することができる。
用途利用分野 量子ドット素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, . 細野 秀雄, 河村 賢一, 平野 正浩, . フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法. 特開2003-057422. 2003-02-26
  • G02B   5/18     
  • C03C  23/00     
  • G02F   1/35     
  • H01S   3/00     

PAGE TOP