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表面改質方法

シーズコード S090002786
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 和泉 亮
  • 松村 英樹
技術名称 表面改質方法
技術概要 この装置は、チャンバ2を真空排気する手段7と、チャンバ2内に被加工層を有する基板8を保持する手段9と、基板を加熱する手段10と、チャンバ2内に取り付けられた高融点材料3とで構成される。また、チャンバ2外部より高融点材料3を抵抗加熱する電源4と、チャンバ2内に窒素原子を含んだガス分子5を所定の圧力で導入するガス導入手段6を有する。そして、窒素ガス原子を含んだ活性窒化種18を発生させる処理装置1を用い、活性窒化種を用いてレジストなどのカーボン系薄膜付き基板のレジストを除去するか、絶縁層を表面窒化する。または、レジストなどのカーボン系薄膜を付着させた層の表面窒化を行なって表面改質を行う。
画像

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S090002786_01SUM.gif
研究分野
  • 薄膜一般
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 窒素とその化合物
展開可能なシーズ 窒素ガス原子を含んだ活性窒化種により、レジストなどのカーボン系薄膜を除去する方法及びレジストに隣接した層の表面窒化を行う表面改質方法、並びに、これらに用いる処理装置を提供する。
活性窒素種を比較的容易に多量に発生させることができ、窒化により改質する表面改質に適用することにより、従来法では困難とされていたイオン注入工程、ドライエッチング工程、熱処理工程などにより変質したレジストを除去し、清浄な表面とすることができる。さらに、層間絶縁膜の表面改質を行うことができ、レジスト除去後に、引き続いて、層間絶縁膜などの表面改質を行うことができるので、工程処理時間を削減することができる。
用途利用分野 半導体製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 和泉 亮, 松村 英樹, . 表面改質方法. 特開2003-347241. 2003-12-05
  • H01L  21/30     

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