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LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法

シーズコード S090002790
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 細野 秀雄
  • 平野 正浩
  • 折田 政寛
  • 太田 裕道
  • 平松 秀典
  • 植田 和茂
技術名称 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
技術概要 単結晶基板上に基材薄膜を成長させ、さらにその上に、アモルファスまたは多結晶LnCuOX(ただし、Lnは、ランタノイド元素またはYのうち少なくとも1種類、また、Xは、S、Se、またはTeのうち少なくとも1種類を意味する)薄膜を堆積させる。その後、500℃以上の高温でアニールする。これにより、発光ダイオード素子、半導体レーザー素子、電界効果型トランジスタ素子、またはヘテロバイポーラトランジスタ素子用単結晶として適する結晶性の良い薄膜を成長させることができる。
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 従来のLnCuOX膜は、スパッタリング法により、適切な条件でアモルファス膜を成長させ、その後高温でアニールすることによって製造されていたが、すべて多結晶であり、発光素子、電子素子材料として十分に高い発光効率、電子移動度を示していなかった。LnCuOX膜を発光材料又はp型伝導性半導体として実用化するために、結晶性の良い薄膜を成長させる有効な単結晶製造方法を開発する。
結晶性の良いLnCuOX単結晶膜が製造できる。この単結晶膜は、室温で励起子による発光効率が高いので紫外発光デバイス(ダイオード、レーザー)の活性層として利用可能である。また、電界効果型トランジスタ素子(FET)構造を構築することにより、ゲート電圧が負で動作する透明FETの作製が可能である。n型半導体と組み合わせることによってCMOS回路及びヘテロバイポーラ素子の製造が可能である。
用途利用分野 LnCuOX薄膜、紫外発光素子材料、透明ワイドギャップp型半導体材料、発光ダイオード素子、半導体レーザー素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . 細野 秀雄, 平野 正浩, 折田 政寛, 太田 裕道, 平松 秀典, 植田 和茂, . LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法. 特開2003-318201. 2003-11-07
  • H01L  21/363    
  • H01L  21/36     
  • C30B  29/22     
  • C30B  33/02     
  • H01L  33/00     

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