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酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置

シーズコード S090002796
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 藤岡 洋
  • 尾嶋 正治
技術名称 酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置
技術概要 窒素雰囲気下でのエピタキシャル成長が可能となるレーザーMBEを用い、LiNbOや(Mn,Zn)Feなどの表面の原子レベルでの平坦化とバッファ層として、AlN層を形成することにより、モノリシック化する。そのために、酸化物基板上への集積回路装置の製造方法において、LiNbOや(Mn,Zn)Fe基板の表面にコロイダルシリカによるCMP基板研磨を行なう。この研磨された基板の超高真空中でのアニールを施し、基板上に原子レベルで平坦な結晶表面を形成する。レーザーMBE法により、原子レベルで平坦化されたLiNbOや(Mn,Zn)Fe基板上にターゲットを用いたAlN層を成長させ、このAlN層上にGaN層を形成する。
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ 現在回路の主役である電子回路を凌駕するような集積化装置を構築することができる酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置を提供する。
従来のMOCVD法やMBE法で困難であった、NGO、フェライトMnO、LGO等の基板上に、良質なIII族窒化物薄膜をエピタキシャル成長できる。基板との格子ミスマッチが、サファイアに比べて格段に小さいため、格子欠陥やミスフィット転位が激減し、結晶品質が格段に向上し、GaN系デバイスの更なる長寿命化、高効率化が期待される。また、薄膜がbulk結晶に近づくことで、新たな物性が発見される可能性もある。
用途利用分野 III族窒化物薄膜、半導体製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 藤岡 洋, 尾嶋 正治, . 酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置. 特開2004-087814. 2004-03-18
  • H01L  21/203    
  • C23C  14/28     
  • H01S   5/026    
  • H01S   5/323    

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