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酸化物半導体PN接合デバイス及びその製造方法

シーズコード S090002800
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 太田 裕道
  • 細野 秀雄
  • 神谷 利夫
  • 平野 正浩
技術名称 酸化物半導体PN接合デバイス及びその製造方法
技術概要 p型伝導性酸化物半導体化合物とn型伝導性と紫外光感度を有するZnMg1-xO化合物からPN 接合デバイスを構成する。そのために、ITO単結晶膜上にn型電気伝導を示すZnMg1-xO(ただし、0.7<x≦1)単結晶薄膜をエピタキシャル成長し、その上に多結晶又はアモルファス膜として堆積されアニールによりエピタキシャル成長したp型電気伝導を示すLiイオンを含むNiO薄膜又はZnRh膜を形成してPN接合デバイスを制作する。または、ITO膜上に堆積されたn型電気伝導を示すアモルファスInGaO(ZnO)(mは1以上50未満の整数)薄膜と、その上に堆積されたp型電気伝導を示すアモルファスNiO薄膜又はZnRh薄膜によりPN接合デバイスを制作する。
研究分野
  • 13‐15族化合物を含まない半導体‐半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 光伝導,光起電力
展開可能なシーズ p型伝導性酸化物半導体化合物とn型伝導性と紫外光感度を有するZnMg1-xO化合物から構成するPN 接合デバイス及びその製造方法を提供する。
酸化物半導体を用いたPN接合デバイスは、化学的に安定で、耐高温度性に優れ、環境負荷が少ないなど、本来的な長所を有する。さらに、短波長光領域で機能する光電子デバイスとして、化合物半導体PN接合デバイスでは実現困難であった、紫外光感度を有するPN接合デバイスが制作できる。
用途利用分野 紫外光センサー、光電子デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . 太田 裕道, 細野 秀雄, 神谷 利夫, 平野 正浩, . 酸化物半導体PN接合デバイス及びその製造方法. 特開2004-119525. 2004-04-15
  • H01L  31/10     

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