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不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法

シーズコード S090002807
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 鯉沼 秀臣
  • 伊高 健治
技術名称 不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法
技術概要 この不揮発性記憶素子1は、有機半導体からなるチャンネル5とゲート絶縁膜3とゲート電極とソース電極とドレイン電極とからなるトランジスタ構造を有する。チャンネル5とゲート絶縁膜3との界面又は界面近傍に、キャリアのトラップ8が形成されている。特に、チャンネル5がフラーレンからなり、ゲート絶縁膜3がアルミナや二酸化シリコンなどの無機物から構成されているので、電気的に書き込み、消去、読み出しができる不揮発性記憶素子1となる。
画像

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研究分野
  • 電子・磁気・光学記録
  • トランジスタ
展開可能なシーズ 有機半導体トランジスタでメモリを構成する場合、記憶層に強誘電性や焦電性材料を必要とし、メモリの構造が複雑になるという課題がある。これに対し、有機トランジスタにより簡単な構造で電気的に不揮発性メモリの動作が得られる不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法を提供する。
有機半導体薄膜をチャンネルとした簡単な構造のトランジスタを不揮発性記憶素子として、電気的に書き込み、消去、読み出しの制御を行うことができる。
用途利用分野 有機不揮発性記憶素子、有機不揮発性メモリ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 鯉沼 秀臣, 伊高 健治, . 不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法. 特開2009-060059. 2009-03-19
  • H01L  21/8247   
  • H01L  27/115    
  • H01L  27/28     
  • H01L  51/05     
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    
  • H01L  51/30     

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