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メモリ素子

シーズコード S090002808
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 春山 純志
技術名称 メモリ素子
技術概要 メモリ素子1は、フラーレン分子を内包した単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノピーポッド13を有し、カーボンナノピーポッド13が、バックゲート電極11上に積層された絶縁層121上に載置される。さらに、所定の距離離間して設けられたソース電極14a及びドレイン電極14bに接続され、フラーレン分子が、メモリ情報を保持するメモリセルとなるように構成される。すなわち、かかる構成であることで、バックゲート電極から電圧が印加されると、バックゲート電圧が閾値より高い領域では、単一電子は前記フラーレン分子に注入され、閾値より低い領域では、単一電子は単層カーボンナノチューブに注入される。従って、バックゲート電圧を制御することで、メモリセルとしてのフラーレン分子に単一電子を注入でき、この単一電子のスピンモーメントで0/1状態を表すことができるので、簡易にフラーレンをメモリセルとすることが可能である。
画像

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S090002808_01SUM.gif
研究分野
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ 単層カーボンナノチューブの内部空間にフラーレン分子を内包したカーボンナノピーポッドを用いた量子素子は作製が難しく、実現に至っていない。この技術の問題点を解決し、カーボンナノピーポッドを用いて、小型でかつ大容量のメモリ素子を提供する。
このメモリ素子は、カーボンナノピーポッドにフラーレン分子をメモリセルとして用いているので、素子全体が小型であり、集積化しやすい。また、フラーレン分子に単一電子を注入してメモリセルとして用いることで、大容量メモリ化ができると共に消費電力が小さいという優れた効果をもつ。
用途利用分野 量子メモリ素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 春山 純志, . メモリ素子. 特開2009-130062. 2009-06-11
  • H01L  27/10     
  • H01L  51/05     
  • H01L  51/30     
  • H01L  29/06     
  • C01B  31/02     

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