TOP > 技術シーズ検索 > 超伝導量子干渉素子及びその製造方法

超伝導量子干渉素子及びその製造方法

シーズコード S090002809
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 前田 京剛
  • ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン
技術名称 超伝導量子干渉素子及びその製造方法
技術概要 超伝導量子干渉素子10は、リング部12Aを有する超伝導体層12と、この超伝導体層12のリング部12Aの一部を跨いで配設された強磁性層13,13と、を有する。2つの強磁性層13、13がリング部12Aに跨いで被覆している。超伝導体層12のリング部12Aのうち強磁性層13,13で被覆した領域12B,12Bが、強磁性層13により超伝導体(S)から絶縁体(I)へ転移し障壁となる。これにより、超伝導体層のループ部の一部に強磁性層を配設した構成となり、強磁性層で被覆された超伝導体層の超伝導体から絶縁体へ転移が生じ、SIS型ジョセフソン接合が形成される。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

S090002809_01SUM.gif
研究分野
  • Josephson接合・素子
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 酸化膜(I)を超伝導体層(S)で挟み込んだSIS型ジョセフソン接合を作製する場合、これら3層を順に積層するために3回の成膜工程が必要であった。しかし、絶縁バリア層作製の制御性や再現性を高めることが非常に困難であるために、良質の超伝導SIS型トンネル接合の作製ができなかった。これに対し、絶縁バリア層の形成を不要とすることで成膜工程を減らした新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。
従来のバリア層を形成する必要がなく、簡単な構造により超伝導量子干渉素子を実現できる。よって、プロセス工程数が少なく、作製制御が容易な作製方法を提供することができ、再現性がよく、感度の高い超伝導量子干渉素子を作製できる。また、バリア層を形成するのにフッ酸などでパターニングするプロセスを経る必要がなく、超伝導体層とバリア層との界面特性が劣化する問題も生じない。
用途利用分野 超伝導量子干渉素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 前田 京剛, ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン, . 超伝導量子干渉素子. 特開2009-147179. 2009-07-02
  • H01L  39/22     
  • G01R  33/035    

PAGE TOP