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温度勾配の変化を検出するセンサー及び測定装置 新技術説明会

シーズコード S090003076
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 米田 安宏
技術名称 温度勾配の変化を検出するセンサー及び測定装置 新技術説明会
技術概要 BaTiO薄膜12は、下側電極10のNbドープSrTiO基板及びPd上側電極14とそれぞれオーミック接合されている。NbをドープされたSrTiO基板から成る下側電極10及びPd上側電極14には、引き出し線としての0.5φmmの金線16及び18がそれぞれ接続されている。なお、電極の材料がNbドープSrTiO基板やPdに限られるものでなく、誘電体薄膜との親和性が高い即ちオーミック接合可能であるいずれの材料でもよい。外部環境温度で或る一定時間放置した後に外部環境温度が定常状態から変動した場合、温度勾配変化検出センサー内の誘電体BaTiO薄膜12の電極10及び14付近に分極反転が生じ、この分極反転は誘電体が薄膜化されているために、直ぐには緩和されずに保持される。温度勾配の変化によって生じた分極反転は、静電容量の変化という物理量に変換され、静電容量測定器によって計測され、外部環境温度勾配の変化は、静電容量の変化として精密に観測することが可能となる。
画像

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展開可能なシーズ 誘電体薄膜の両側の面にオーミック接合状態に設けられた2つの電極とを備えた温度勾配の変化を検出するセンサーにより、外部環境温度が定常状態から変動した際にその温度勾配の変化を検出する装置を提供する。
外部環境温度勾配の変化を精密に検出あるいは観測し、変化の際に生ずる分極反転を従来の誘電体材料に比べてはるかに長い時間保持することができる。従って、恒温室の温度制御や半導体などの結晶作製の温度制御など、精密な温度制御が必要な技術分野に広く適用することができる。
用途利用分野 温度勾配センサー、温度勾配変化測定装置、恒温室温度制御器、半導体結晶作製温度制御器

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