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走査型アトムプローブおよび走査型アトムプローブを用いた分析方法

シーズコード S090003113
掲載日 2010年3月26日
研究者
  • 西川 治
技術名称 走査型アトムプローブおよび走査型アトムプローブを用いた分析方法
技術概要 引出電極5が試料3の表面を走査するとき、電界放射された電子による電流は、試料表面の形状を反映して変化する。この現象を利用して、分析すべき突起3aの先端の位置を推測し、その位置に引出電極5の位置を合わせる。引出電極5の先端の穴5aの中心と、試料3の突起3aの先端とを位置合わせした後、直流高圧電源2から負のバイアス電圧を試料3に印加し、突起3aの先端から電子を電界放射させる。放射電子8はスクリーン9に入射し、その電流値を測定する。負のバイアス電圧値を変化させて、電流値の変化(I-Vプロット)を測定する。これにより、分析領域の電子状態を知ることができる。次に、正の直流バイアス電圧を試料3に印加し、それに重畳させて、パルス発生器1により正のパルス電圧を印加する。突起3aの先端部分の表面原子が電界蒸発して陽イオン8となり、スクリーン9に入射する。試料3が導電性の低い材料の場合は、パルス電圧が突起3aの先端まで伝わらないので、試料3に、レーザー7によりパルスレーザー光7aを照射し、光励起電界蒸発により表面原子を陽イオンとして脱離させることにより、低電導性材料であっても、分析することができる。
画像

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展開可能なシーズ 試料の表面の原子が電界蒸発するのに十分な電圧を供給したときに、電界蒸発により生成したイオンを検出するイオン検出部と、試料の表面の形状を分析する表面形状分析部とにより、試料の表面の状態を的確に取得し、任意の領域を選択して分析する技術を提供する。
従来のAP(アトムプローブ)では測定に適さないとされていた低電導性材料であっても、導電性材料と同様に分析することができ、試料の表面を分析する分析装置および分析方法に利用できる。
用途利用分野 表面質量分析装置、走査型アトムプローブ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 金沢工業大学, . 西川 治, . 走査型アトムプローブおよび走査型アトムプローブを用いた分析方法. .
  • G01N  13/10     
  • G01N  13/12     
  • G01N  13/16     
  • G01N  27/62     
  • G01N  27/64     

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