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高密度SiC繊維強化型SiC複合材料の製造方法

シーズコード S090003635
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 香山 晃
  • 小谷 政規
  • 加藤 雄大
技術名称 高密度SiC繊維強化型SiC複合材料の製造方法
技術概要 光パルス列はサーキュレータ1の端子101に入射、端子102から出射し、偏光ビームスプリッタ2の端子201に入射する。垂直偏光を端子202に、水平偏光を端子203に分離する。端子202の出力は偏波保持ファイバ12の遅軸に偏光を合わせて結合する。さらに偏光ビームスプリッタ2端子203に結合される。偏波保持ファイバの長さは端子202と位相変調器3をつなぐものよりパルス発振器11のパルス幅を考慮した分長くとり、ファイバループを作る。両偏光は端子201から出力され、端子102に戻る。出力は偏光コントローラ4を通って偏光ビームスプリッタ5の端子501に入射する。偏光コントローラは偏光状態のずれを補正するとともに、アダマールゲートの働きを持っている。偏光ビームスプリッタ5は垂直偏光を端子502に、水平偏光を端子503に分離する。検出器6、7の出力は減算器8を通り、弁別器9に入力される。制御回路10に入力されパルス発生器11の出力電圧を決定する。パルス発生器の出力は位相変調器に印加される。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 紡糸・製糸
展開可能なシーズ 多ビットの量子計算を行うことができる量子回路および量子計算機を実現する。量子ビットを光の偏光方向で表し、量子ビットの列を表す偏光した光パルス列を順次入力する。ある光パルスに作用する偏光回転および位相差の大きさを、それ以前に入力された光パルス列の偏光の測定結果を元に決定する。これにより制御ユニタリ変換を実現する。
偏光した光パルス列を入力し、偏光回転および位相差の大きさを、それ以前に入力された光パルス列の偏光の測定結果を元に決定する。1個の量子ビットに対する制御ユニタリ変換で任意のビット数の変換を行うことができる。ファイバの屈折率の揺らぎによるコヒーレンスの低下を防ぐことができる。光子数を1より十分大きくすることができ、入力状態やユニタリ変換に誤差が大きくても測定結果の誤りを小さくできる。
用途利用分野 量子コンピュータ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, . 香山 晃, 小谷 政規, 加藤 雄大, . 高密度SiC繊維強化型SiC複合材料の製造方法. 特開2002-255649. 2002-09-11
  • C04B  35/565    
  • C04B  35/80     
  • C04B  41/84     

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