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MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置

シーズコード S090003688
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 宮崎 誠一
  • 東 清一郎
技術名称 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置
技術概要 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルSiO層と、トンネルSiO層上に形成されたSi殻内にGe核を内包した量子ドットと、量子ドット上及びトンネルSiO層上に形成されたコントロールSiO層と、このコントロールSiO層上に形成されたゲート電極層と、を有する。また、MOS電界効果トランジスタ型量子ドット受光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成されたゲートSiO層と、ゲートSiO層上に形成されたドープSi層、Ge層及びドープSi層を順次積層してなる積層ゲート電極層とを有する。このようなMOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の構成により、量子ドット22部分のバンド構造は、伝導帯側にわずか飛び出たようなバンド整合をとり、正孔に対して量子井戸構造を形成する。このため、Ge核24内での正孔の強い閉じ込めが可能となり、効率的発光再結合を実現できる。
画像

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S090003688_01SUM.gif
研究分野
  • 発光素子
  • トランジスタ
  • 金属-絶縁体-半導体構造
展開可能なシーズ MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子を提供する。また、MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供する。
このMOS電界効果トランジスタ型受光素子は、トランジスタの増幅作用を利用することによって、わずかな赤外光でも高感度に検出することができる。これらにより、CPU等のプロセッサ、メモリセルあるいは異なるチップに形成された導体集積回路間の高速かつ安定した光通信が可能になる。
用途利用分野 MOSFET量子ドット発光素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人広島大学, . 宮崎 誠一, 東 清一郎, . MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法. 特開2006-032564. 2006-02-02
  • H01L  33/34     
  • H01L  27/14     
  • H01L  29/78     
  • H01L  31/10     
  • H01L  31/12     

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