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酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ

シーズコード S090003690
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 三浦 道子
  • 小野 剛史
  • マタウシュ ハンス・ユルゲン
技術名称 酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ
技術概要 フローティングゲート形不揮発性メモリは、トンネル酸化膜を通してキャリヤをフローティングゲートに注入し、これを閉じ込めておく方法によっている。これと相違して、ゲート酸化膜内にキャリヤを捕獲させる方法を取る。そのために、少なくとも1つの角構造を有し、角構造を挟んでソース電極204との接合部とドレイン電極205との接合部とが形成された半導体基板上に、半導体基板の角構造にそった角構造を有するゲート酸化膜206を形成する。そして、ゲート酸化膜206内に電気的に注入され、ゲート酸化膜206内に捕獲されるキャリヤによるしきい値電圧の変化によって情報を記憶するように不揮発性メモリを構成する。
画像

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研究分野
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ フローティングゲート形不揮発性メモリでは、トンネル酸化膜を薄くするとキャリヤの注入効率が上がり、素子特性は向上する。反面、トンネル酸化膜の劣化を招くため、動作電圧を下げられない。そこで、動作電圧を下げることができ、素子の微細化が容易な新たな構造を有する不揮発性メモリを提供する。
従来のフローティングゲート形不揮発性メモリの場合より低い電圧で動作させることができる。またキャリヤを閉じ込めておくための酸化膜も必要なくなり、素子構造が簡単である。このため不揮発性メモリの微細化が可能でありまた、製造コストを大きく低減することができる。
用途利用分野 不揮発性メモリ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人広島大学, . 三浦 道子, 小野 剛史, マタウシュ ハンス・ユルゲン, . 酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ. 特開2000-332136. 2000-11-30
  • H01L  21/8247   
  • H01L  27/115    
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    

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