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半導体薄膜製造装置および方法 新技術説明会

シーズコード S090003695
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 須田 良幸
技術名称 半導体薄膜製造装置および方法 新技術説明会
技術概要 真空容器の到達最低圧力を1×10-7Torr未満の超高真空領域に下げ、希ガスと水素の混合スパッタガスを用いて、マグネトロン方式でスパッタする。スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときには、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を1×10-7Torr未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つ。これらの組み合わせによって、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持する。また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、高い品質の4族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成できる。
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の4族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置および方法を提供する。
実用レベルの高品質、高純度の4族系半導体結晶が形成できる。
用途利用分野 Si単結晶薄膜、Si多結晶薄膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京農工大学, . 須田 良幸, . 半導体薄膜製造装置および方法. 特開2006-100834. 2006-04-13
  • H01L  21/203    
  • C23C  14/34     

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