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機能性基体、機能性基体を製造する方法および剥離層除去方法

シーズコード S090003697
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 吉岡一也
  • 鮫島俊之
技術名称 機能性基体、機能性基体を製造する方法および剥離層除去方法
技術概要 第一の基体上1に酸化ゲルマニウム膜の剥離層2を形成する。その上に薄膜電子回路あるいは電子回路素子あるいはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造4の少なくとも一つを形成する。膜構造4上に樹脂系接着剤5を用いて第2の基体6に接着して、機能性基体を形成する。このとき、樹脂製接着剤としては、ガラス転移温度が100℃以上、150℃以下、吸水率が0.1%以下、引っ張りせん断強さ10N/mm以上、T型剥離接着強さ1N/mm以上、線膨張率1.0×10-4以下であるエポキシ系あるいはアクリル系接着剤5を用いる。次に、この機能性基体を、一定温度の酸または純水中またはそれらの蒸気中にて保持する。しかる後に機能性基体の温度を変化させることにより、第一の基体1と膜構造上の剥離層2との間にせん断方向応力を発生させ、剥離させることにより第二の基体に転写する。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 薄膜一般
展開可能なシーズ 被転写層と転写先基板との接着力の向上を図り、純水または酸溶液中での転写プロセスにおいても十分な接着強度と適度な硬さを伴った接着剤を用いることによって、薄膜電子回路素子にダメージをあたえることなく剥離し、良好な特性をもつ薄膜電子回路を歩留まり良く、耐熱性のない基板上に転写する。
薄膜電子回路を転写するに際し、十分な接着強度と適度な硬さを有した接着剤を用いることにより、接着と剥離の作業による薄膜電子回路へのダメージを最小限にできる。
用途利用分野 バイポーラトランジスタ、MOS型トランジスタ、多結晶シリコン薄膜トランジスタ、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人東京農工大学, . 吉岡一也, 鮫島俊之, . 剥離層除去方法. 特開2007-150223. 2007-06-14
  • H01L  21/02     
  • H01L  27/12     
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    

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