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シリコン酸化物の改質方法

シーズコード S090003701
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 鮫島 俊之
技術名称 シリコン酸化物の改質方法
技術概要 シリコン基体10上に、リモートプラズマCVD法を用いて、SiO層20を形成する。低温で形成したシリコン酸化物層20及びその界面の性質を改善するために、水蒸気或いは水を含む雰囲気中において、雰囲気の圧力が2気圧以上200気圧の条件下において、処理温度が150℃以上600℃以下で加熱処理を行う。このとき好適な雰囲気中の水の分子の数密度は2×1019個/cm以上、3.4×1022個/cm以下である。この方法は、MOS型トランジスタ、太陽電池等電子デバイス作製或いはシリコン酸化物基体改質に適用できる。
画像

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S090003701_01SUM.gif
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 加熱
展開可能なシーズ 低温且つ簡単な熱処理工程でシリコン酸化物及びその界面の性質を向上させる。
簡単な工程で、かつ低コストでシリコン酸化物の改質を行うことができ、良好な特性の半導体素子を得ることが可能である。電子デバイスのゲート酸化膜、キャパシタ膜及びパッシベーション膜の低温での改質に適用することが出来るとともに、シリコン酸化物からなる絶縁基板の改質にも適用することが可能である。
用途利用分野 MOS型トランジスタ、太陽電池等電子デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京農工大学, . 鮫島 俊之, . シリコン酸化物の改質方法. 特開平11-097438. 1999-04-09
  • H01L  21/316    
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/78     
  • H01L  29/786    
  • H01L  31/04     

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