TOP > 技術シーズ検索 > 多孔質シリコン膜及びその製造方法並びに半導体発光素子

多孔質シリコン膜及びその製造方法並びに半導体発光素子

シーズコード S090003708
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 安達 定雄
技術名称 多孔質シリコン膜及びその製造方法並びに半導体発光素子
技術概要 酸化還元電位が+0.4eV~+1.5eVの範囲にある特定の酸化剤12を含有するフッ化水素酸(HF) 水溶液を処理溶液として使用して、短時間(約1~15分)の光照射16により光アシストエッチングを実施し、シリコン結晶14の表面に均一な膜厚の多孔質シリコン膜18を形成する。特定の酸化剤としては、塩化銅、ヨウ素、臭素酸銀、硝酸銀などが特に好ましい。半導体発光素子を制作するには、最初に、平板状のn型シリコン結晶の片面に多孔質シリコン膜を形成する。次に、n型シリコン結晶の裏面に、裏面電極を形成する。その後、酸化ケイ素薄膜の表面に電極形成のためのパターニングを行ない、酸化インジウム錫膜を真空蒸着する。最後に、表面電極及び裏面電極からリード線を引き出して、半導体発光素子が完成する。これにより、可視発光が可能な電界注入型の半導体発光素子を再現性よく作製することができる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

S090003708_01SUM.gif
研究分野
  • 半導体薄膜
  • 電解装置
  • 発光素子
展開可能なシーズ 可視発光が可能で膜厚の均一な多孔質シリコン膜とこの多孔質シリコン膜を簡便かつ再現性よく製造する製造方法とを提供する。また、この多孔質シリコン膜を用いた高発光効率の半導体発光素子を提供する。
従来の光アシストエッチング法と比較して、多孔質膜が形成される確率が改善され、多孔質膜の形成時間も短縮される。さらに、また、この多孔質シリコン膜を用いて、可視発光が可能な電界注入型の半導体発光素子を再現性よく作製できる。
用途利用分野 多孔質シリコン膜、半導体発光素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 群馬大学, . 安達 定雄, . 多孔質シリコン膜の製造方法. 特開2007-305748. 2007-11-22
  • H01L  21/306    
  • H01L  33/18     
  • H01L  33/34     

PAGE TOP