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薄膜形成方法

シーズコード S090003736
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 和泉 亮
  • 小田 晃士
技術名称 薄膜形成方法
技術概要 CVD装置の反応室1の下部にガス流入口2、上部に基板6、その中間に1600℃に加熱されたタングステン触媒体7を設置する。ガス流入口2から導入されたヘキサメチルジシラザンとアンモニアと水素の混合ガス3はタングステン触媒体7で分解され、分解生成した化学種が基板表面で反応しSiC薄膜が形成される。SiC薄膜組成は混合ガスの組成や基板温度をかえることによって制御できる。基板6としては、Siを含有しない低融点のアクリル、テフロン、ポリエステル等の有機化合物を使用することもできる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 従来のモノシランとアンモニアを用いるプラズマCVD法ではモノシランに爆発性があり、また、高速の水素プラズマが基板に損傷を与えるため、有機化合物等の低融点基板を使ない問題があった。これに対し、Si、C、Nの3元素組成物SiCのx、yを制御して、有機化合物上へ、爆発等の危険性を伴うことなく安全に、低温形成も可能にするSiC薄膜の形成方法を提供する。
危険なガスを使用することなく、しかも比較的低温で、SiC膜を半導体基板だけでなく有機物フイルム上にも形成することができる。従って、半導体産業以外の化学、鉄鋼、食品など幅広い産業にも普及する可能性がある。
用途利用分野 CVD装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人九州工業大学, . 和泉 亮, 小田 晃士, . 薄膜形成方法. 特開2005-347653. 2005-12-15
  • H01L  21/318    
  • B01J  23/30     
  • C01B  21/082    
  • C23C  16/42     
  • C23C  16/44     

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