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レーザー照射微細加工方法及び該方法を用いて構成された半導体ウェーハ

シーズコード S090003740
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 木村 景一
  • 高谷 裕浩
  • 三好 隆志
  • 鈴木 恵友
技術名称 レーザー照射微細加工方法及び該方法を用いて構成された半導体ウェーハ
技術概要 半導体ウェーハを加工液中に浸け、銅を除去すべき箇所に、集束レーザー光を選択的に照射し、銅膜を選択的に除去加工する。すなわち、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去する。そして、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料を除去する。これによって、半導体ウェーハ上に形成された銅膜を選択的に除去加工することができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • レーザ一般
  • 特殊加工
展開可能なシーズ 超LSIのCu配線パターンの加工・形成は、絶縁体内にあらかじめ所定の溝構造を形成したうえで、溝内にCuを埋め込むダマシンプロセスが用いられる。この際に生まれる余剰Cu表面層は、化学的機械的研磨法(CMP)により除去されるが、配線の目減りが起こると、デバイス性能が低下する。そこで、Cu残膜に対し化学溶液(加工液)中でレーザー照射することにより、銅を除去加工し、非接触で平坦化加工を行う方法を提供する。
Cu-CMPスラリー中でのCuウェーハへの集束レーザー照射により照射部のみの局所除去加工が可能となる。深さ方向の加工レートは、レーザー強度に対し指数関数的に増大する傾向があり、ナノメーター・オーダーの加工レートが、レーザー強度或いはレーザー走査回数を制御により調整可能である。このように、CMP後のCu残膜除去加工に適用可能であり、超LSI製造プロセスにおける、配線工程の平坦化プロセスに適用できる。
用途利用分野 半導体製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人九州工業大学, 学校法人大阪大学, . 木村 景一, 高谷 裕浩, 三好 隆志, 鈴木 恵友, . レーザー照射微細加工方法. 特開2006-303286. 2006-11-02
  • H01L  21/306    
  • H01L  21/3205   

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