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Al-N系光吸収体

シーズコード S090004350
掲載日 2010年3月30日
研究者
  • 石黒 孝
技術名称 Al-N系光吸収体
技術概要 Alをターゲット材1とする平行平板型スパッタリング装置を用いて、Ar,N の混合ガスをスパッタガス3とし、形成されるAl-N系膜4である。AlとAlNの混合状態となし、成長に伴いAl-N系膜の表面の凹凸を増大させ、Al-N系膜の表面の反射率を著しく低下させ、紫外・可視・近赤外波長領域の光の殆どを吸収する1μm以下の膜厚の膜からなるAl-N系光吸収体4である。AlNとAlは適当に混ざり合いながらガラス基板2上に堆積していく。堆積表面には膜厚の増加と共に凹凸が形成され、光を反射しなくなる(黒くなる)。この膜の特性は、スパッタガスのN 濃度に左右される。なお、膜のガラス基板2側は、ガラス基板2が平滑なため当然平滑になり、この面が金属光沢を持つ。そのため表面で吸収しきれなかった光を再び膜基板側で反射し戻すことができる。つまり、スパッタガスのN 濃度が一定であるにもかかわらず、傾斜機能膜となっている。この膜は、太陽光〔地上太陽光は波長0.25~2.35μmに分布(AM=1)〕の95%を吸収する。
画像

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S090004350_01SUM.gif
研究分野
  • 光デバイス一般
  • 薄膜一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 固定性がよく、材料のコストが低く、しかも広帯域の光の大きな吸収を示すことができる、Al-N系光吸収体を提供する。
膜表面の凹凸は増幅されており、この様な形態が膜厚増加とともに誘起されることで、広い波長範囲で高い吸収率を実現することができる。また、波長0.25~2.35μmに分布する太陽光の照射に対し、その95%が吸収され、光熱エネルギー変換膜として有用である。
用途利用分野 Al-N系光吸収体、光吸収体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京理科大学, . 石黒 孝, . Al-N系光吸収体. 特開2002-277627. 2002-09-25
  • G02B   5/22     
  • C23C  14/34     
  • G02B   5/00     

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