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半導体装置

シーズコード S100000243
掲載日 2010年9月17日
研究者
  • 飯山 宏一
  • 高宮 三郎
技術名称 半導体装置
技術概要 チャネル領域の内、ソース領域B1、ゲート領域B2、及びドレイン領域B3について一様な禁制帯幅を有する材料で構成するのではなく、高い耐圧の必要されるドレイン領域B3は禁制帯の幅が大きい材料で構成し、少なくともソース領域B1は電子移動度が高い禁制帯の幅が小さい半導体材料を用いて構成する。即ち、チャネル領域の内ソース側領域B1を禁制帯幅は狭いが電子移動度が高い材料で構成し、ドレイン領域B3を禁制帯幅が広く高い降伏電界が得られる材料で構成し、且つ、ソース領域B1とドレイン領域B3を繋ぐゲート下のチャネル領域B2はソース側ではチャネル領域B1と、ドレイン側ではチャネル領域B3と滑らかに繋がるように禁制帯幅を分布させる。従って、電子は移動度が高いB1領域、禁制帯幅が徐々に変化している領域B2、及び禁制帯幅が広く降伏電界強度が高い領域B3を通って流れることになる。
画像

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研究分野
  • トランジスタ
展開可能なシーズ トランジスタの応答周波数・耐圧積を向上せしめ、実用的耐圧を維持しつつ応答周波数上限を伸ばすことができるようにする。
ゲート電極下のチャネル層の禁制帯幅をソース側とドレイン側との間で徐々に変化させ、ゲート電極下のチャネル層の禁制帯幅をドレイン領域の禁制帯幅より狭くすることにより、将来の超高速通信/情報システムの性能向上(特に上限動作速度の向上)や品質の向上を図ることができる。
用途利用分野 電界効果トランジスタ、高電子移動度トランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人金沢大学, . 飯山 宏一, 高宮 三郎, . 半導体装置. 特開平11-097453. 1999-04-09
  • H01L  21/338    
  • H01L  29/78     
  • H01L  29/80     
  • H01L  29/812    

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