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半導体装置

シーズコード S990003196
掲載日 2000年12月28日
研究者
  • 高宮 三郎
  • 飯山 宏一
研究者所属機関
  • 金沢大学
  • 金沢大学
研究機関
  • 金沢大学
技術名称 半導体装置
技術概要 本新技術は、電界効果トランジスタに関するものであって、特に化合物半導体材料を用いるものであって、半導体層を含む基本にソース領域、ゲート領域、ドレイン領域が形成され、ゲート領域のチャンネル層をゲート領域に形成されたゲート電極により制御する電界効果型の半導体装置であって、チャンネル層の禁制帯幅をドレイン領域の禁制帯幅より狭くしたことを特徴とする。チャンネルのドレイン側領域に禁制帯幅が広い材料を使うことで、ゲート、ドレイン間の空乏層幅を大きくしなくとも耐圧を確保できることから、空乏層の電子走行時間を短くすることができ、またソース側については耐圧の制約を考慮せずに禁制帯幅が狭く電子移動度が高い材料を使えることからゲートの充放電時間を従来以上に短縮することができるものである。
画像

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従来技術、競合技術の概要 従来の電界効果型トランジスタでは電子が流れるチャンネルの材料がソース・ゲート間、ゲート・ドレイン間とも同一材料で構成されていた。そのため、速度を高める目的で電子移動度が高い狭禁制帯幅材料を使えば必然的に耐圧の低下をもたらす構造になっていた。
研究分野
  • トランジスタ
展開可能なシーズ コンピューターの普及とより高度な性能への希求から、禁制帯幅の狭い材料を用いる高電子移動度トランジスタ装置が求められている。このものはその流れに沿うもので、向後ますます需要の拡大が期待される。
用途利用分野 高速半導体素子、マイクロ波・ミリ波デバイス用として
関連発表論文 (1)林一夫, 園田琢二, 山口哲也, 山内真英, 高宮三郎, 三井茂, 長浜弘毅. 超低雑音HEMTの信頼性. 電子情報通信学会技術研究報告. vol.87,no.161,1987,p.1‐5(ED87‐70).
(2)阪本進, 山口哲也, 池田乾一郎, 高宮三郎, 三井茂. 900MHz帯移動通信用GaAsFETの高信頼化の検討. 電子情報通信学会全国大会講演論文集. vol.1988,no.Autumn Pt.C‐1,1988,p.C.1.216.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人金沢大学, . 飯山 宏一, 高宮 三郎, . 半導体装置. 特開平11-097453. 1999-04-09
  • H01L  21/338    
  • H01L  29/78     
  • H01L  29/80     
  • H01L  29/812    

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