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金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス

シーズコード S100001385
掲載日 2010年9月17日
研究者
  • 角谷 正友
  • 吉本 護
  • 福家 俊郎
技術名称 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス
技術概要 絶縁性基板として単結晶構造を有するサファイア基板10を用いる。このサファイア基板10は層構造体を形成すべき表面を有し、この表面上に金属層及び半導体層を順次形成する。尚、サファイア基板10の層形成すべき面は、通常の鏡面研磨した表面でもよく、或いは高温アニール処理により超平坦化処理をした表面でもよく、いずれの表面でも上側に金属層をエピタキシャル成長させることができる。このサファイア基板の面上に、電極を構成する金属層11を堆積する。ここでは、スパッタリング処理により白金を所定の方向に沿って堆積し、結晶方位の揃った白金層11を形成する。この白金層11の厚さは、例えば100~1000オングストロームすることができる。
画像

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研究分野
  • 発光素子
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜一般
展開可能なシーズ 単結晶の結晶構造を有する絶縁性基板上にエピタキシャル成長した金属層を形成し、この金属層上に単結晶の結晶構造を有する半導体層を形成して、消費電力が少なく、且つ、動作電圧が一層低い光放出半導体デバイスを提供する。
単結晶の結晶構造を有する絶縁性基板上に、エピタキシャル成長した金属層を形成し、この金属層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する半導体層を形成することにより、絶縁性基板上に形成した金属層上に単結晶構造の半導体層を直接又は薄いバッファ層を介して形成できる金属層上に単結晶の半導体層を形成できる。
用途利用分野 面発光レーザ素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人静岡大学, . 角谷 正友, 吉本 護, 福家 俊郎, . 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス. 特開平11-274561. 1999-10-08
  • H01L  33/00     
  • H01L  21/203    
  • H01L  29/43     

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