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化合物半導体の製膜方法

シーズコード S100001386
掲載日 2010年9月17日
研究者
  • 角谷 正友
  • 福家 俊郎
  • 小川 真吾
技術名称 化合物半導体の製膜方法
技術概要 製膜中における基板温度を所定の割合で上昇させて、基板上に直接化合物半導体をエピタキシャル成長させる。この場合、製膜中の基板温度をほぼ一定の割合で上昇させることが必要である。窒化物化合物半導体等の化合物半導体を、格子定数の異なる基板上にエピタキシャル成長させるためには、製膜直前の基板温度の上限は670℃であることが好ましく、更には、600℃であることが好ましい。同様に、製膜直前の基板温度の下限は400℃であることが好ましく、さらには500℃であることが好ましい。また、製膜直前の基板温度の上限を670℃とすることにより、格子定数の異なる基板上に化合物半導体をエピタキシャル成長させた場合において、平滑な表面を有する化合物半導体を得ることができる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 格子定数の異なる基板上に、バッファ層を介さずに化合物半導体を製膜した場合においても、エピタキシャル成長した化合物半導体薄膜を得ることができるようにする。
製膜中における基板温度を所定の割合で上昇させて、基板上に直接化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより、バッファ層を設けることなく、簡易な方法でエピタキシャル成長させることを可能にする。
用途利用分野 青色半導体レーザ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人静岡大学, . 角谷 正友, 福家 俊郎, 小川 真吾, . 化合物半導体の製膜方法. 特開平11-283925. 1999-10-15
  • H01L  21/205    
  • C30B  25/10     
  • C30B  29/40     
  • H01L  21/20     

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