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Si微結晶構造の製造方法

シーズコード S100001433
掲載日 2010年9月17日
研究者
  • 古屋 一夫
  • 竹口 雅樹
  • 吉原 一紘
技術名称 Si微結晶構造の製造方法
技術概要 400℃以上の温度において、SiO基板に電子線を照射して電子線励起分解反応により単結晶のSi微結晶をSiO基板に形成する。具体的には、電子ビームのエネルギーを100keVとして、まず、2×10cm-2-1程度の比較的弱い照射でいったんSiO単結晶(石英)薄膜を非晶質化する。次に、電界放射透過型電子顕微鏡を用いて、600℃の温度において2×10-8Paの超高真空中でビームを約3nmに集束し、ビーム強度を2×10cm-2-1以上に増加しスポット走査する。この際、Si微結晶は、ビームを縦5箇所、横5箇所の合計25箇所のスポットに5秒間停止して照射して、各スポットへの線量を1×10cm-2以上とし、電子線励起分解機構(ESD)によりSi微結晶構造を得る。
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 電子ビーム,イオンビーム
展開可能なシーズ 優れた位置制御性と、優れた微結晶サイズの制御性をもって形成したSi微結晶構造を提供する。
SiO基板に電子線を照射して電子線励起分解反応により単結晶のSi微結晶をSiO基板に形成することにより、Si量子ドット・三次元超格子構造の作製が可能となる。
用途利用分野 半導体量子ドット、非線形光学素子、量子波干渉材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人物質・材料研究機構, . 古屋 一夫, 竹口 雅樹, 吉原 一紘, . Si微結晶構造の製造方法. 特開2000-021773. 2000-01-21
  • H01L  21/20     
  • H01L  29/06     

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