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超微粒子構造の作製方法

シーズコード S100001446
掲載日 2010年9月17日
研究者
  • 小宮山 宏
  • 白川 宏昭
  • 大沢 利男
技術名称 超微粒子構造の作製方法
技術概要 基板1上に堆積させるべき物質に対して濡れ性の低い物質からなる薄膜2を形成して基板1の表面全体の濡れ性を堆積させるべき物質に対して低下させる。次に、基板1の表面に開口部3を形成し、堆積させるべき物質4に対して濡れ性の高い部分を形成する。その後、堆積させるべき物質4に所要の堆積速度で堆積させるべき物質粒子4を基板1上に堆積させる。すると、基板1の表面は薄膜2の存在により、堆積させるべき物質粒子4に対して濡れ性の低い状態にあるため、堆積させるべき物質粒子4は基板1上に堆積した後、基板1の表面上をマイグレートし、濡れ性の高い開口部3に至ったところで、その内部に落ち込んでエネルギー的に安定な状態となる。この極微細粒子5は放置しておくと、基板1の表面をマイグレートした堆積させるべき物質粒子4が更に開口部3に集積して衝突結合を繰り返し、その大きさを増大させてしまう。従って、極微細粒子5が所定の大きさになったところで、開口部3を埋め込むと共に、物質粒子4を被覆して、物質粒子4の衝突結合を防止することにより、極微細粒子5の大きさが増大するのを防止する。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 薄膜一般
展開可能なシーズ 低次元量子構造の量子細線や量子ドットを理想に近い大きさで作製すると共に、単電子素子等の新しい機能を持つデバイスをも作製できるようにする。
開口部を埋め込み、堆積させるべき物質からなる粒子を被覆して極微細な粒子の大きさの増大を停止させることにより、数nmスケ-ルの極微細な粒子から構成される超微粒子構造を作製可能にする。
用途利用分野 大規模集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京大学, . 小宮山 宏, 白川 宏昭, 大沢 利男, . 超微粒子構造の作製方法. 特開2000-133794. 2000-05-12
  • H01L  29/06     
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/203    
  • H01L  21/205    

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