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光アイソレ—タ

シーズコード S100001448
掲載日 2010年9月17日
研究者
  • 中野 義昭
  • 竹中 充
技術名称 光アイソレ—タ
技術概要 第1導電型の半導体基板1と、基板1の層形成すべき面の上側に形成した第1導電型の第1のクラッド層2と、その上側に形成した活性層と、その上側に形成した第2導電型の第2のクラッド層6と、半導体基板の層形成すべき面とは反対側の面に形成した第1の電極8と、第2のクラッド層6の上側に形成した第2の電極9とを有する半導体光増幅器構造体を具える。ここで、第1のクラッド層2、活性層及び第2のクラッド層6で光導波路を構成し、第2の電極9が、導波路を伝搬する光波の磁気ベクトルの振動方向と対応する方向の磁界成分を有するように磁化した光吸収性磁性材料層を含み、光導波路と第2の電極9の磁性材料層とが光導波路構造体を構成し、この光導波路構造体が、光吸収性磁性材料層の光磁気効果で光導波路を伝搬する光波に対して伝搬方向に応じて等価屈折率が変化する非相反性光学特性を有し、この非相反性の等価屈折率の変化で、光導波路を第1の方向に伝搬する第1の光波の導波路を伝搬する際に生ずる減衰量を、第1の方向とは反対の第2の方向に伝搬する第2の光波の当該導波路を伝搬する際に生ずる減衰量よりも小さくする。
画像

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研究分野
  • 光デバイス一般
展開可能なシーズ 半導体製造技術を用いて半導体基板上に集積化することができる光アイソレータを実現可能にする。
一層精密な製造工程で製造することができ、しかも製造コストも大幅に安価にすることが可能である。半導体製造技術を用いて半導体基板上に集積化することができ、さらに、位相整合が不要となり、複雑な製造工程を用いることなく製造することができる。
用途利用分野 半導体レーザ、光導波路、基板、集積化
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京大学, . 中野 義昭, 竹中 充, . 光アイソレ―タ. 特開2000-266947. 2000-09-29
  • G02B   6/12     
  • G02B  27/28     

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