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化合物半導体の製造方法及び製造装置

シーズコード S100001614
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 市村 正也
  • 荒井 英輔
  • 後藤 文孝
技術名称 化合物半導体の製造方法及び製造装置
技術概要 製造方法は、作ろうとする半導体の原料金属イオン及びチオ硫酸イオンを有する水溶液7に基板2を浸漬させる。この基板2に向けて紫外線領域の光を照射して、光化学反応により金属の硫化物からなる化合物半導体を基板上に形成させる。好ましくは、化合物半導体が、CdS、ZnS、CuS、SnS、又はCuInSである。形成後に、300℃以上でアニールしても良い。製造装置は、金属イオン及びチオ硫酸イオンを有する水溶液7を収容する処理槽1と、この処理槽1の浴中に浸漬させる基板2の支持装置3とを備え、かつ、この基板2に向けて紫外線領域の光を照射する光源を備える。好ましくは、基板2と光源との間に集光レンズ4を備える。この化合物堆積技術においては、水溶液を用い、その中での化合物生成反応を、電流や溶媒の量で制御するのではなく、光によって制御する。これにより、この堆積法は硫化物半導体薄膜を任意の基板上に堆積させることができる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
  • 電荷移送デバイス
展開可能なシーズ 低コストでの大量生産が可能で、半導体膜の堆積量及び品質の管理が容易で、原材料の有効利用が図れ、基板の材質を問わないために製造工程の自由度が大きいという利点を持つ、硫化物半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
装置としては単純、安価であり、大規模化も容易である。光を使うことで、反応の時間的、空間的な制御が可能であり、局所的に、(基板上のみに)反応をおこすことができる。基板には導電性のものに限らず、多様な物質が利用可能である。金属元素のみが選択的に堆積する反応は起こりにくい。反応に用いる溶液は、光を当てない限りは自発的に反応を起こすことなく安定であり、その管理は容易である。
用途利用分野 半導体薄膜製造装置、太陽電池、光センサ、発光パネル
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋工業大学, . 市村 正也, 荒井 英輔, 後藤 文孝, . 化合物半導体の製造方法及び製造装置. 特開平10-324589. 1998-12-08
  • C30B  29/46     

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