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磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法

シーズコード S100001621
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 浅井 滋生
  • 佐々 健介
  • 谷口 貴久
技術名称 磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法
技術概要 電解状態の物質、例えば金属イオンを、銅等の基板1上に電析又は無電解析出させるに際し、析出膜における所望結晶方位に応じて、基板1の設置姿勢及び電析又は無電解析出環境に対する磁場の印加方向Bを選択する。又は、基板直上に流動抑制多孔質板8を設置した上で、析出膜における所望結晶方位に応じて、基板1の設置姿勢及び電析若しくは無電解析出環境に対する磁場の印加方向Bを選択する。好ましくは、物質が、弱磁性体又は亜鉛等の反磁性体である。結晶方位により耐食性、耐磨耗性が異なる金属の場合においては、必要応じて、金属膜の表面に平行に耐食性又は耐磨耗性の高い結晶面を選択して配向させることができる。また熱電材料では、結晶配向により、熱エネルギーと電気エネルギーとの変換効率を高めるような結晶方位を有する材料を提供することができる。
画像

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研究分野
  • 電解装置
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 適用物質のみならず、析出膜の結晶方位が特に制限されることのない、電析又は無電解析出膜の結晶方位の制御方法を提供する。
磁場印加による電析又は無電解析出膜の結晶方位の制御を非磁性体にまで広げることができ、耐食性や耐摩耗性の優れた金属表面を選択的に成長させることが可能なだけでなく、熱電変換効率の高い熱電材料を生成させることもできる。
用途利用分野 耐食性材料、耐磨耗性材料、熱電材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 浅井 滋生, 佐々 健介, 谷口 貴久, . 磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法. 特開2000-239887. 2000-09-05
  • C25D   5/00     
  • C23C  18/52     

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