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微細構造パターンの形成方法

シーズコード S100001622
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 宇理須 恒雄
技術名称 微細構造パターンの形成方法
技術概要 基板2の一方の主面2A上にレジスト膜3を形成し、X線露光用マスク1を介してX線4をレジスト膜3に照射して露光パターン5を形成する(a)。次いで、レジスト膜3に現像処理を施すことにより、露光パターン5を選択的に除去してレジストパターン6を形成する(b)。次いで、真空紫外線吸収材料からなる被処理部材7を、レジストパターン6を覆うようにして基板2の主面2A上に形成し、被処理部材7に真空紫外光領域に波長ピークを有する電子シンクロトロン放射光8を照射し(c)、分解金属膜を析出させる(d)。そして、レジストパターン6を除去することにより、析出した金属膜9がレジストパターン6のピッチの挟間に堆積してなる微細構造パターン10を形成する(e)。
画像

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研究分野
  • めっき一般
  • 薄膜一般
  • プリント回路
展開可能なシーズ nmオーダの微細な構造パターンを再現性よく量産することが可能な形成方法を提供する。
形成した微細構造パターンをマスクとして用いることにより、エッチング耐性を問題とすることなく、基板自体に微細構造を形成することができ、また分子線エピタキシー法などを併用することにより、単結晶からなる微細構造を形成することができる。
用途利用分野 微細構造用マスク
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 大学共同利用機関法人自然科学研究機構, . 宇理須 恒雄, . 微細構造パターンの形成方法. 特開2001-003176. 2001-01-09
  • C23C  18/14     
  • C23F   4/00     
  • H01L  21/027    
  • H01L  21/3065   

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