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半導体混晶膜の形成方法

シーズコード S100001632
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 安田 幸夫
  • 財満 鎭明
  • 酒井 朗
  • 山中 章
  • 中塚 理
技術名称 半導体混晶膜の形成方法
技術概要 半導体混晶膜を構成する一方の半導体成分(第1の半導体材料)から基板を構成すると共に、半導体混晶膜を構成する他方の半導体成分(第2の半導体材料)からなる薄膜を基板上にエピタキシャル成長によって形成する。次に、これらを熱処理することにより、第1、第2の半導体材料、及び金属膜の構成元素間の相互拡散を通じて、第1の半導体材料からなる基板と第2の半導体材料からなる薄膜との界面に、第1、第2の半導体材料とからなる混晶膜を形成する。なお、第2の半導体材料中に十分な量の空孔を形成すると共に、空孔を第1の半導体材料からなる基板中へ十分に拡散させるべく、熱処理温度は、400~900℃、更には500~800℃であることが好ましい。また、空孔を第1の半導体材料からなる基板中へ十分な量で拡散させると共に、膜厚方向に任意の組成勾配を有する半導体混晶膜を形成すべく、熱処理時間は1~120分間、更には10~90分間であることが好ましい。そして、特に上記SiGe混晶膜を形成するに際しては、圧力下及び温度範囲において10~60分間熱処理することが好ましい。
研究分野
  • 薄膜一般
  • 薄膜成長技術・装置
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ SiGe混晶膜等の半導体混晶膜を形成する新規な方法を提供する。
第1の半導体材料でなる基板上に、第2の半導体材料でなる薄膜をエピタキシャル成長によって形成した後、この薄膜上に金属膜を形成し、これらを熱処理することにより、第1、第2の半導体材料、及び金属膜の構成元素間の相互拡散を通じて、第1、第2の半導体材料からなる薄膜との界面に第1、第2の半導体材料とからなる混晶膜を形成することにより、半導体混晶膜を優れた結晶安定性及び再現性の下に簡易に形成できる。
用途利用分野 SiGe混晶膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 安田 幸夫, 財満 鎭明, 酒井 朗, 山中 章, 中塚 理, . 半導体混晶膜の形成方法. 特開2001-351862. 2001-12-21
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/203    

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