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微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

シーズコード S100001703
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 谷脇 雅文
  • 新田 紀子
技術名称 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
技術概要 単結晶基板を-50℃以下-273℃以上の低温に冷却すると共に、単結晶基板の表面に荷電粒子を1×1014cm-2以上5×1016cm-2以下のドーズ量にて、所定の加速電圧で注入し、次いで室温に戻す。かかる工程を経ることにより、微細パターンを形成する。即ち、まず、InSb単結晶基板及びGaSb単結晶基板を-130℃乃至-123℃の低温に冷却する。具体的には、InSb単結晶基板及びGaSb単結晶基板を、イオン注入装置の試料室内の基板ホールダに密着性を保ってセットし、この試料室の内部を、10-3Pa乃至10-8Paの所定の圧力まで真空排気し、真空中で冷却する。即ち、基板ホールダの温度を熱電対等の温度モニタで測定しながら、液体窒素(LN)等の冷媒を用いて冷却する。次に、InSb単結晶基板及びGaSb単結晶基板の表面に荷電粒子としての錫イオン(Sn)を、加速電圧VAC=60kVにおいて、所定のドーズ量でイオン注入する。条件のイオン注入が終了したら、自然加熱により、InSb単結晶基板及びGaSb単結晶基板を室温に戻す。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 安価に、ナノメータレベルの微細パターンを有する半導体装置を提供する。
単結晶基板を特定範囲の低温に冷却すると共に、単結晶基板の表面に荷電粒子を特定のドーズ量にて所定の加速電圧で注入し、その後、単結晶基板を室温に戻すことにより、極めて簡単に単結晶基板の表面にナノメータレベルの微細パターンを形成することができる。
用途利用分野 ギガビットレベル集積密度保有半導体集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 高知県公立大学法人, . 谷脇 雅文, 新田 紀子, . 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法. 特開2001-148354. 2001-05-29
  • H01L  21/265    

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