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微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

シーズコード S100001704
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 谷脇 雅文
  • 新田 紀子
技術名称 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
技術概要 FIB装置の試料室内で、単結晶基板1と基板ホルダとを互いに密着性を保つように固定し、所定の圧力まで真空排気する。その後、単結晶基板1にFIBを第1の荷電粒子として所望の箇所に照射し、表面に欠陥を生成し、窪み10を選択的に形成する。次に、イオン注入装置の試料室に単結晶基板1を移動して、イオン注入装置の試料室内の基板ホルダと単結晶基板1とが互いに密着するように固定し、所定の圧力まで真空排気し、真空排気したら冷媒を用いて単結晶基板1を冷却する。次に、単結晶基板1の表面全面に第2の荷電粒子のSnを注入する。Snを低温の単結晶基板1の全面に照射すると損傷領域に点欠陥(格子間原子8と原子空孔9)が生成される。第2の荷電粒子としてのSn注入によって窪み10の近くに生成された原子空孔9は、窪み10と一体化する。また、Sn注入によって生成した格子間原子8は、一部が窪み10と窪み10の間に移動し、窪み10と窪み10の間は盛り上げられ成長することで壁23となる。壁23が出来ることにより、窪み10は見かけ上成長することになり、壁23に囲まれた部分が凹部2となる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 電子ビーム,イオンビーム
展開可能なシーズ フォトリソグラフィ工程を可能な限り削減し、極めて簡単な方法で、且つ安価に単結晶基板表面に規則的なナノメータレベルの微細パターンを形成する。
露光マスクを使用する工程を可能な限り削減し、極めて簡単な方法で、且つ安価に単結晶基板の表面に規則的なナノメータレベルの微細パターンを形成出来る。
用途利用分野 半導体装置、半導体集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 高知県公立大学法人, . 谷脇 雅文, 新田 紀子, . 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法. 特開2004-079847. 2004-03-11
  • H01L  21/302    
  • H01L  21/8247   
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    
  • H01L  27/10     

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