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単結晶薄膜の形成方法

シーズコード S100001719
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 西永 頌
技術名称 単結晶薄膜の形成方法
技術概要 単結晶基板1上に非晶質薄膜2を形成し、エッチングによって非晶質薄膜2に線状の開口部3を形成して単結晶基板1の表面を露出させる。次いで、減圧下において、分子ビーム6-2を単結晶基板1の表面1Aに対して40°以下、好ましくは25°以下の入射角度θで開口部3に入射させ、開口部3の露出した単結晶基板表面上に単結晶薄膜4を選択的にエピタキシャル成長させる。その後、縦方向単結晶薄膜8を成長させるとともに、非晶質薄膜2上において横方向に成長してなる横方向単結晶薄膜9を形成する。分子ビームの入射角度を単結晶基板表面に対して一定の範囲内に設定することにより、単結晶薄膜を構成する原子が非晶質薄膜に形成した開口部のみに堆積し、エピタキシャル成長し、非晶質薄膜上には形成されない。この開口部内に形成された単結晶薄膜を種としてエピタキシャル成長を続けることにより、マイクロチャネルエピタキシーによって、転位の極めて少ない単結晶薄膜を非晶質薄膜上に形成することができる。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 気相成長法を用いたマイクロチャネルエピタキシー技術によって、非晶質膜上に単結晶薄膜を形成する方法を提供する。
所定の開口部のみに単結晶薄膜を選択的に形成することが可能であり、この部分に形成された単結晶薄膜を種とすることにより、気相成長法によりマイクロチャネルエピタキシーが可能となる。集積回路や電子素子、光素子などの実用に供することのできる転位の少ない単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。
用途利用分野 電子デバイス、光デバイス、集積回路、光・電子集積デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京大学, . 西永 頌, . 単結晶薄膜の形成方法. 特開2000-247798. 2000-09-12
  • C30B  29/40     

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