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単結晶部材の作製方法

シーズコード S100001723
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 西永 頌
技術名称 単結晶部材の作製方法
技術概要 単結晶基板1上に非晶質膜2を形成する。次いで、フォトリソグラフィによって単結晶基板1の表面を選択的に除去し、窓部3を形成する。次いで、この窓部3を所定の元素が過飽和に溶解してなる過飽和溶液5に接触させ、窓部3を種結晶部として前記元素を構成要素として含有する単結晶4を単結晶基板1の表面に対し垂直な方向にエピタキシャル成長させる。そして、所定の時間が経過した後に、過飽和溶液5との接触を停止してエピタキシャル成長を停止させ、所定の大きさ及び形状の単結晶部材を得る。単結晶部材を単結晶基板の表面に対して垂直方向にエピタキシャル成長させて得るため、単結晶基板に転位が存在している場合においても、この転位の大部分が結晶外に出るため単結晶部材は低転位となる。従って、単結晶基板の結晶性に影響されることなく結晶性に優れた単結晶部材を得ることができる。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 切断や研磨などの工程を経ることなく、単結晶基板として使用可能な単結晶部材を直接的に得るための作製方法を提供する。
選択的なエピタキシャル成長のみで所望の大きさ及び形状を有するとともに、転位などのほとんどない結晶性に優れた単結晶部材を得ることができる。したがって、切断や研磨などの工程を必要とせず、エピタキシャル成長のみで単結晶基板として使用可能な単結晶部材を簡易に得ることができる。
用途利用分野 シリコン集積回路、各種光デバイス、電子デバイス、太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京大学, . 西永 頌, . 単結晶部材の作製方法. 特開2001-019589. 2001-01-23
  • C30B  19/04     

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