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半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法

シーズコード S100001795
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 浅岡 康
  • 金子 忠昭
  • 佐野直克
技術名称 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法
技術概要 微細ファセット形状作製方法は、まず、単結晶半導体基板1の表面2に、真空中で集束イオンビーム3を照射する。集束イオンビーム3の照射、注入により表面2には、イオンが侵入した損傷領域化領域8が形成される。これら損傷領域化領域8は、イオンの注入によって、結晶構造が不安定となり、表面2の他の領域に比べ、反応性が高くなる。このため、融液層を介して熱処理を行うと、熱処理時の温度勾配の方向によっては、この損傷領域化領域8の元素が選択的にエッチングされて、融液層に溶出される。あるいは、エピタキシャル成長するようになる。結晶半導体基板1のイオンが注入された損傷領域化領域8が形成された表面2を極薄の融液層側に面するようにして、他の半導体基板とこの融液層を挟み込む。そして、単結晶半導体基板1の他面側にヒータをセットして、単結晶半導体基板1側から他の半導体基板に対して温度勾配が形成されるように熱処理を行う。その際、ある所定の結晶方位を有する単結晶基板とした場合は、その表面にファセット面を有した微細なファセット形状を形成させることができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 電子ビーム,イオンビーム
展開可能なシーズ 各種の半導体基板表面に自在にファセット制御された微細構造体を作製する。
任意の微細なファセット形状を半導体基板表面に形成できる。このため、各種半導体デバイスはもとより、生体分子手術基板等への適用も可能となる。
用途利用分野 半導体基板表面の微細加工技術、生体分子手術基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人関西学院, . 浅岡 康, 金子 忠昭, 佐野直克, . 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法. 特開2004-273610. 2004-09-30
  • H01L  21/208    
  • H01L  21/306    
  • H01S   5/18     

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