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ニッケルシリサイド膜の作製方法

シーズコード S100001803
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 財満 鎭明
  • 酒井 朗
  • 中塚 理
  • 安田 幸夫
技術名称 ニッケルシリサイド膜の作製方法
技術概要 シリコンからなる基板11を準備し、シリコン基板11上に、所定の成膜手法により炭素含有シリコン下地膜12を形成する。次いで、シリコン下地膜12に対しイオン注入法などを用いて所定の不純物を含有させる。次いで、シリコン下地膜12上にニッケル膜を公知の成膜手法を用いて形成し、多層膜中間構造体を得る。次いで、多層膜中間構造体に対して熱処理を施し、シリコン下地膜12を構成するシリコン元素とニッケル膜を構成するニッケル元素とを相互に拡散させ、ニッケルシリサイド膜15を形成する。このとき、シリコン下地膜12及びニッケルシリサイド膜15の界面16を含む近傍の、シリコン下地膜12の表層部分12Aには、シリコン下地膜12中に炭素を含有させたことによって不純物が偏在するようになる。したがって、シリコン下地膜12とニッケルシリサイド膜15との接触抵抗は、不純物が界面16近傍に高濃度に存在することにより、低減される。結果として、シリコン下地膜12とニッケルシリサイド膜15とから構成される金属/半導体接合の接触抵抗は十分に低減することができる。
画像

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研究分野
  • 薄膜一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 金属/半導体界面の接触抵抗を低減させ、このような積層構造を有する半導体素子の効率劣化を抑制する。
接触抵抗を低減させた金属/半導体接合を有する多層膜構造体を得ることができる。したがって、この多層膜構造体から半導体素子を構成した場合において、素子の効率を十分に向上させることができる。
用途利用分野 多層膜構造体、半導体素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 財満 鎭明, 酒井 朗, 中塚 理, 安田 幸夫, . ニッケルシリサイド膜の作製方法. 特開2004-253606. 2004-09-09
  • H01L  21/28     
  • C23C  14/06     
  • C23C  16/26     

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