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半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 新技術説明会

シーズコード S100001812
掲載日 2010年10月4日
研究者
  • 赤崎 勇
  • 天野 浩
  • 上山 智
  • 岩谷 素顕
  • 中村 亮
技術名称 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 新技術説明会
技術概要 半導体レーザにおいて、サファイア基板101上に、AlNからなるバッファ層102及びn-GaNからなる第1のコンタクト層103を、例えば、夫々厚さ0.02μm及び3μmに順次形成する。そして、第1のコンタクト層103には、半導体レーザの長手方向と略平行な凹部104を形成する。この際、凹部104は、例えば反応性イオンエッチングにより、深さ1μm、幅8μmに形成する。また、第1のコンタクト層103上には、n-AlGaNからなる厚さ0.02μmの中間層105を介して、n-Al0.2Ga0.8Nからなる第1のクラッド層106を凹部104に起因した段差を埋めるようにして厚さ5μmに形成する。凹部104内においては、横方向の成長速度が縦方向の成長速度よりも大きいために、転位は凹部104の長手方向における中心部分に集中する。従って、その両側には、低転位な領域112が形成される。また、中間層105は多結晶であるために、第1のクラッド層106は、中間層105上において新たな核生成及び2次元成長の過程を経て形成される。
画像

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研究分野
  • レーザ一般
  • 半導体レーザ
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 半導体レーザを構成する半導体多層構造における格子不整合を回避し、発振波長の自由度を拡大した半導体レーザを提供する。
第1のコンタクト層は、半導体レーザの長手方向に略平行な凹部を有し、第1のコンタクト層と第1のクラッド層との間の少なくとも一部に多結晶状の中間層を具え、第1のクラッド層は凹部を埋設し、凹部に起因した段差を消失させるように形成することにより、短波長から長波長まで、発振波長の自由度に優れた半導体レーザを動作時の特性劣化を生じることなく、長期信頼性の下に提供できる。
用途利用分野 発光ダイオード
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名城大学, . 赤崎 勇, 天野 浩, 上山 智, 岩谷 素顕, 中村 亮, . 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法. 特開2002-016321. 2002-01-18
  • H01S   5/343    

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